зонная диаграмма

См. также в других словарях:

• Зонная теория — твёрдого тела  квантовомеханическая теория движения электронов в твёрдом теле. В соответствии с квантовой механикой свободные электроны могут иметь любую энергию  их энергетический спектр непрерывен. Электроны, принадлежащие… …   Википедия

• СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ДЕТЕКТОР — детектор частиц, действие к рого основано на регистрации световых вспышек в видимой или УФ области, возникающих при прохождении заряж. частиц через сцинтиллятор. Доля энергии, конвертированная в световую вспышку от полной энергии ( ), потерянной… …   Физическая энциклопедия

• p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …   Физическая энциклопедия

• ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… …   Физическая энциклопедия

• Фотонный кристалл — Фотонный кристалл  это материал, структура которого характеризуется периодическим изменением показателя преломления в пространственных направлениях[1]. В другой работе[2] встречается расширенное определение фотонных кристаллов … …   Википедия

• Лавинный фотодиод — Структура лавинного фотодиода на основе кремния: 1  омические контакты, 2  антиотражающее покрытие Лавинные фотодиоды (ЛФД; англ. avalanche photodiode  APD)  высокочувствительные полупроводниковые приборы, преобразующие… …   Википедия

• МОТТОВСКИЕ ДИЭЛЕКТРИКИ — (диэлектрики Мот та Хаббарда) кристаллы с диэлектрич. свойствами, происхождение к рых связано не с влиянием пе риодич. поля кристаллич. решётки (как в обычных диэлектриках или полупроводниках типа Ge и Si), а с сильным межэлектронным… …   Физическая энциклопедия

• ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной …   Физическая энциклопедия

• Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… …   Википедия

• Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… …   Википедия

• ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — область полупроводника у его поверхности, в к рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n типа (р типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим… …   Физическая энциклопедия